Transistor IGBT de Infineon Technologies diseñado para aplicaciones en fuentes de alimentación y conversión de potencia.
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El IRGIB6B60KDPBF es un transistor IGBT de tipo NPT con diodo de recuperación ultrarrápida integrado, en encapsulado TO-220-3 Full Pack. Soporta un voltaje de ruptura colector-emisor de 600 V y una corriente colector máxima de 11 A, con una potencia disipada máxima de 38 W. Opera en un rango de temperatura de -55°C a +175°C y es adecuado para aplicaciones industriales de potencia media. Este componente está obsoleto para nuevos diseños.
