Módulo IGBT de alta potencia de Infineon en encapsulado IHM B para aplicaciones industriales.
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Módulo IGBT de Infineon Technologies con tecnología IGBT4 y diodo Emitter Controlled 4 (EC4). Opera con tensión máxima de 1700 V y corriente nominal de 1200 A. Diseñado para aplicaciones industriales exigentes con aislamiento de 4 kV AC y temperatura de unión hasta 150 °C. Incluye base de cobre y cumple con RoHS.
