Módulo IGBT de Infineon con configuración de inversor trifásico para aplicaciones de potencia industrial.
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El módulo IGBT FP75R12KT4B11BOSA1 de Infineon es un componente de semiconductores de potencia con voltaje de 1200 V y corriente máxima de 75 A, diseñado para montaje en chasis. Incluye diodos integrados y un termistor NTC para monitoreo térmico, operando en un rango de temperatura de -40°C a 150°C. Este módulo de la serie EconoPIM 3 ofrece eficiencia en aplicaciones como control de motores y convertidores de energía.
