Módulo MOSFET de canal N dual de carburo de silicio de Infineon con 1200 V y 100 A.
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El FF11MR12W1M1PB11BPSA1 es un módulo de potencia EasyDUAL™ de Infineon Technologies que utiliza tecnología CoolSiC™ Trench MOSFET en configuración half-bridge. Ofrece un voltaje drenaje-fuente de 1200 V y corriente continua de 100 A a 25°C, con montaje en chasis y paquete AG-EASY1B-2 que incluye PressFIT y sensor NTC. Este componente está diseñado para aplicaciones industriales de alta eficiencia como inversores y convertidores. Su estado es obsoleto, con disponibilidad limitada en stock.
