Módulo IGBT de un solo canal fabricado por Infineon Technologies para aplicaciones de alta tensión.
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Módulo IGBT de un solo canal fabricado por Infineon Technologies para aplicaciones de alta tensión.
El módulo IGBT FD250R65KE3KNOSA1 de Infineon es un componente de potencia con voltaje de ruptura de 6500 V y corriente máxima de 250 A, diseñado para montaje en chasis. Utiliza tecnología Trench/Fieldstop IGBT3 con diodo EC3 para control eficiente en aplicaciones como inversores y convertidores en tracción, industria y energías renovables. Opera en un rango de temperatura de -50°C a 125°C y cumple con RoHS3, sin termistor NTC integrado.