Módulo de arreglo de MOSFET de 4 canales N de carburo de silicio de Infineon Technologies con voltaje de 1200 V y corriente de 75 A.
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Módulo de arreglo de MOSFET de 4 canales N de carburo de silicio de Infineon Technologies con voltaje de 1200 V y corriente de 75 A.
El F415MR12W2M1B76BOMA1 es un módulo de MOSFET de la serie EasyPACK™ y CoolSiC™ de Infineon Technologies, configurado como puente completo de 4 canales N. Soporta un voltaje drenaje-fuente de 1200 V y una corriente continua de drenaje de 75 A a 25°C, con montaje en chasis y paquete AG-EASY1B-2. Opera en un rango de temperatura de -40°C a 150°C y se utiliza en aplicaciones de electrónica de potencia industrial como inversores y convertidores. Este producto está obsoleto y no se fabrica más.