Módulo de MOSFET de carburo de silicio de canal N dual de Infineon Technologies con voltaje de 1200 V y corriente de 25 A.
Este producto ya está en la lista de solicitud de presupuesto.
El DF23MR12W1M1B11BPSA1 es un módulo de MOSFET array de dos canales N fabricado por Infineon Technologies utilizando tecnología de carburo de silicio (SiC). Ofrece un voltaje drenaje-fuente de 1200 V y una corriente continua de drenaje de 25 A a temperatura de unión, diseñado para montaje en chasis en el paquete AG-EASY1BM-2. Este componente pertenece a la serie CoolSiC™+ y opera en un rango de temperatura de -40°C a +150°C, adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia industrial. Su estado es obsoleto, con disponibilidad limitada.
