Módulo de MOSFET de carburo de silicio de cuatro canales N de Infineon Technologies con voltaje de 1200 V y corriente de 100 A.
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Módulo de MOSFET de carburo de silicio de cuatro canales N de Infineon Technologies con voltaje de 1200 V y corriente de 100 A.
El F411MR12W2M1B76BOMA1 es un módulo de transistores MOSFET en configuración de puente completo de la serie EasyPACK™ CoolSiC™ de Infineon Technologies. Ofrece un voltaje drenaje-fuente de 1200 V y una corriente continua de drenaje de 100 A a 25°C, diseñado para aplicaciones de alta potencia como inversores y convertidores. El producto está obsoleto pero disponible en stock limitado y cumple con RoHS3.