Módulo IGBT dual de alta potencia FF1200R17KP4B2NOSA2 fabricado por Infineon para aplicaciones de conmutación industrial.
Este producto ya está en la lista de solicitud de presupuesto.
El módulo FF1200R17KP4B2NOSA2 es un componente IGBT de la serie IHM de Infineon con configuración dual, voltaje de bloqueo de 1700 V y corriente nominal de 1200 A. Incorpora tecnología IGBT4 Trench/Fieldstop con diodos de conmutación suave, diseñado para inversores y convertidores en entornos industriales. Cuenta con placa base AlSiC para mayor capacidad térmica y aislamiento de 4 kV AC. Este producto está descontinuado según el fabricante.
